Транзистор MOSFET SI2301DS (p-канал, -4.7А, -20В) A1sH8

0.0 (голосов 0 / просмотров 965)

Артикул: MOSFET SI2301DS (p-канал, -4.7А, -20В)

Нет в наличии

MOSFET транзистор SI2301DS. Характеристики: Структура: p-канал Максимальное напряжение сток-исток: -20 В Максимальный ток сток-исток при 25 С: -4.7 А Максимальное напряжение затвор-исток: ±8 В Сопротивление канала в открытом состоянии: 100 мОм Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 Вт Крутизна характеристики: 6.5 S Корпус: sot23 Пороговое напряжение на затворе: -0.95 В
MOSFET транзистор SI2301DS. Характеристики: Структура: p-канал Максимальное напряжение сток-исток: -20 В Максимальный ток сток-исток при 25 С: -4.7 А Максимальное напряжение затвор-исток: ±8 В Сопротивление канала в открытом состоянии: 100 мОм Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 Вт Крутизна характеристики: 6.5 S Корпус: sot23 Пороговое напряжение на затворе: -0.95 В

Отзывы к "Транзистор MOSFET SI2301DS (p-канал, -4.7А, -20В) A1sH8":

Пока нет комментариев

Написать комментарий



Настоящим подтверждаю, что я ознакомлен и согласен с условиями политики конфиденциальности.
Я нe рoбoт

Видео-обзоры "Транзистор MOSFET SI2301DS (p-канал, -4.7А, -20В) A1sH8", подобранные автоматически: